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Author Correction: A quantitative approach for trap analysis between Al 0.25 Ga 0.75 N and GaN in high electron mobility transistors
Scientific reports, 2021-12, Vol.11 (1), p.23667
2021

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Author Correction: A quantitative approach for trap analysis between Al 0.25 Ga 0.75 N and GaN in high electron mobility transistors
Ist Teil von
  • Scientific reports, 2021-12, Vol.11 (1), p.23667
Ort / Verlag
England
Erscheinungsjahr
2021
Link zum Volltext
Quelle
EZB Free E-Journals
Sprache
Englisch
Identifikatoren
eISSN: 2045-2322
Titel-ID: cdi_pubmed_primary_34857865
Format
–

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