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Electronic Materials Letters, 2011-03, Vol.7 (1), p.1-11
2011
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Review paper: Transparent amorphous oxide semiconductor thin film transistor
Ist Teil von
  • Electronic Materials Letters, 2011-03, Vol.7 (1), p.1-11
Ort / Verlag
Springer: The Korean Institute of Metals and Materials
Erscheinungsjahr
2011
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Beschreibungen/Notizen
  • Thin film transistors (TFTs) with oxide semiconductors have drawn great attention in the last few years, especially for large area electronic applications, such as high resolution active matrix liquid crystal displays (AMLCDs) and active matrix organic light-emitting diodes (AMOLEDs), because of their high electron mobility and spatial uniform property. This paper reviews and summarizes recent emerging reports that include potential applications, oxide semiconductor materials, and the impact of the fabrication process on electrical performance. We also address the stability behavior of such devices under bias/illumination stress and critical factors related to reliability, such as the gate insulator, the ambient and the device structure.

Weiterführende Literatur

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