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IEEE microwave and guided wave letters, 1999-01, Vol.9 (1), p.34-36
1999

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
An active integrated 24-GHz antenna using a flip-chip mounted HEMT
Ist Teil von
  • IEEE microwave and guided wave letters, 1999-01, Vol.9 (1), p.34-36
Ort / Verlag
New York, NY: IEEE
Erscheinungsjahr
1999
Link zum Volltext
Quelle
IEEE Electronic Library (IEL)
Beschreibungen/Notizen
  • In this paper an active integrated microstrip antenna at 24 GHz employing a three-terminal active device is presented. A high electron mobility transistor (HEMT) is integrated in a purely uniplanar microstrip structure by means of flip-chip technology, i.e., all terminals of the passive microstrip circuit are located on top of the substrate and no via-holes are needed. A radiated output power of 10 mW and a dc-to-RF efficiency of 20% are obtained. The deviations of the frequencies of operation from the predicted values are below /spl plusmn/0.5%.

Weiterführende Literatur

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