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Chinese physics B, 2010-09, Vol.19 (9), p.612-616
2010
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Electroluminescence of double-doped diamond thin films
Ist Teil von
  • Chinese physics B, 2010-09, Vol.19 (9), p.612-616
Ort / Verlag
IOP Publishing
Erscheinungsjahr
2010
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Beschreibungen/Notizen
  • A new electroluminescence device is fabricated by microwave plasma chemical vapour deposition system and electron beam vapour deposition system. It is comprised of highly doped silicon/diamond/boron/nitrogen-doped diamond/indium tin oxide thin films. Effects of process parameters on morphologies and structures of the thin films are detected and analysed by scanning electron microscopy, Raman spectrometer and x-ray photoelectron spectrometer. A direct-current (DC) power supply is used to drive the electroluminescence device. The blue light emission with a luminance of 1.2 cd·m^-2 is observed from this double-doped diamond thin film electroluminescence device at an applied voltage of 105 V.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 1674-1056
eISSN: 2058-3834
DOI: 10.1088/1674-1056/19/9/097805
Titel-ID: cdi_proquest_miscellaneous_849480009

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