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Carrier Lifetime and Mobility Enhancement in Nearly Defect-Free Core−Shell Nanowires Measured Using Time-Resolved Terahertz Spectroscopy
Ist Teil von
Nano letters, 2009-09, Vol.9 (9), p.3349-3353
Ort / Verlag
Washington, DC: American Chemical Society
Erscheinungsjahr
2009
Quelle
MEDLINE
Beschreibungen/Notizen
We have used transient terahertz photoconductivity measurements to assess the efficacy of two-temperature growth and core−shell encapsulation techniques on the electronic properties of GaAs nanowires. We demonstrate that two-temperature growth of the GaAs core leads to an almost doubling in charge-carrier mobility and a tripling of carrier lifetime. In addition, overcoating the GaAs core with a larger-bandgap material is shown to reduce the density of surface traps by 82%, thereby enhancing the charge conductivity.