Sie befinden Sich nicht im Netzwerk der Universität Paderborn. Der Zugriff auf elektronische Ressourcen ist gegebenenfalls nur via VPN oder Shibboleth (DFN-AAI) möglich. mehr Informationen...
High speed and high responsivity germanium photodetector integrated in a Silicon-On-Insulator microwaveguide
Ist Teil von
Optics express, 2007-07, Vol.15 (15), p.9843-9848
Ort / Verlag
United States
Erscheinungsjahr
2007
Link zum Volltext
Quelle
Free E-Journal (出版社公開部分のみ)
Beschreibungen/Notizen
We report the experimental demonstration of a germanium metal-semiconductor-metal (MSM) photodetector integrated in a SOI rib waveguide. Femtosecond pulse and frequency experiments have been used to characterize those MSM Ge photodetectors. The measured bandwidth under 6V bias is about 25 GHz at 1.55 microm wavelength with a responsivity as high as 1 A/W. The used technological processes are compatible with complementary-metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 1094-4087
eISSN: 1094-4087
DOI: 10.1364/oe.15.009843
Titel-ID: cdi_proquest_miscellaneous_733360951
Format
–
Weiterführende Literatur
Empfehlungen zum selben Thema automatisch vorgeschlagen von bX