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Growth Mechanism of Truncated Triangular III-V Nanowires
Ist Teil von
Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany), 2007-03, Vol.3 (3), p.389-393
Ort / Verlag
Weinheim: WILEY-VCH Verlag
Erscheinungsjahr
2007
Link zum Volltext
Quelle
MEDLINE
Beschreibungen/Notizen
What's in a wire? To determine the fundamental reason for obtaining tapered nanowires, GaAs nanowires were grown on {111}B GaAs substrates. Their novel structural characteristics (e.g., a truncated triangular cross section at the base of the nanowires; see image) were carefully investigated using high‐resolution SEM and various TEM techniques. Based on the obtained structural characteristics of these nanowires and the growth environment, an asymmetrical lateral‐growth mechanism has been identified.