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We present a novel approach for computing the surface roughness-limited thermal conductivity of silicon nanowires with diameter D<100 nm. A frequency-dependent phonon scattering rate is computed from perturbation theory and related to a description of the surface through the root-mean-square roughness height Delta and autocovariance length L. Using a full phonon dispersion relation, we find a quadratic dependence of thermal conductivity on diameter and roughness as (D/Delta)(2). Computed results show excellent agreement with experimental data for a wide diameter and temperature range (25-350 K), and successfully predict the extraordinarily low thermal conductivity of 2 W m(-1) K-1 at room temperature in rough-etched 50 nm silicon nanowires.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0031-9007
eISSN: 1079-7114
DOI: 10.1103/physrevlett.102.125503
Titel-ID: cdi_proquest_miscellaneous_67175142
Format
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Weiterführende Literatur
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