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A 5.15-5.35 GHz band 10 W power amplifier using SiC MESFETs
Physica status solidi. C, 2008-07, Vol.5 (9), p.3162-3164
Kim, Kyunghwan
Kim, Jaekwon
Burm, Jinwook
2008
Volltextzugriff (PDF)
Details
Autor(en) / Beteiligte
Kim, Kyunghwan
Kim, Jaekwon
Burm, Jinwook
Titel
A 5.15-5.35 GHz band 10 W power amplifier using SiC MESFETs
Ist Teil von
Physica status solidi. C, 2008-07, Vol.5 (9), p.3162-3164
Ort / Verlag
Berlin: WILEY-VCH Verlag
Erscheinungsjahr
2008
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Beschreibungen/Notizen
A 10 watt radio frequency power amplifier using commercially available silicon carbide (SiC) metal semiconductor field effect transistors (MESFETs), Cree CRF‐24010F, was designed. The frequency range covers 5.15 GHz to 5.35 GHz for using IEEE 802.11a Wireless Local Area Network (WLAN) applications. The 2nd and 3rd order harmonics cancellation technique was introduced to obtain high linearity. A cascade topology was employed to increase small signal gain, isolation, and stability throughout the bandwidth. At VDS1 = VDS2 = 48 V and IDS1 + IDS2 = 871 mA, 11 ± 1 dB power gain, 40 dBm (10 W) output power and 32.5% power added efficiency (PAE) over the operating bandwidth have been achieved in the two stage design. Two‐tone simulation at frequency spacing of 10 MHz was also done and output 3rd order intercept point (OIP3) of 49 dBm was obtained. (© 2008 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 1862-6351, 1610-1634
eISSN: 1610-1642
DOI: 10.1002/pssc.200879215
Titel-ID: cdi_proquest_miscellaneous_32749039
Format
–
Schlagworte
84.30.Jc
,
85.30.−z
Weiterführende Literatur
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