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A 0.18 mum CMOS direct down-converter for highly integrated 3G receivers
Ist Teil von
Analog integrated circuits and signal processing, 2007-10, Vol.53 (1), p.35-42
Erscheinungsjahr
2007
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Beschreibungen/Notizen
This paper presents the design of a high dynamic range direct down-converter for 3G cell-phone applications. The mechanisms responsible for second-order intermodulation distortion are discussed in details, leading to the following design strategy: the transconductor is degenerated by means of an RC filter, an LC network resonating at RF frequency loads the switching pair and carefully matched resistors are used in the output load. Prototypes realized in 0.18 mum CMOS show: +78 dBm IIP2 minimum among 40 samples, +10 dBm IIP3, 4 nV/√Hz input-referred noise density while burning only 4 mA from 1.8 V.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0925-1030
DOI: 10.1007/s10470-006-9018-4
Titel-ID: cdi_proquest_miscellaneous_30930171
Format
–
Weiterführende Literatur
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