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P-type ZnO thin films prepared by plasma molecular beam epitaxy using radical NO
Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2005-05, Vol.202 (6), p.1060-1065
Liang, H. W.
Lu, Y. M.
Shen, D. Z.
Liu, Y. C.
Yan, J. F.
Shan, C. X.
Li, B. H.
Zhang, Z. Z.
Zhang, J. Y.
Fan, X. W.
2005
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Details
Autor(en) / Beteiligte
Liang, H. W.
Lu, Y. M.
Shen, D. Z.
Liu, Y. C.
Yan, J. F.
Shan, C. X.
Li, B. H.
Zhang, Z. Z.
Zhang, J. Y.
Fan, X. W.
Titel
P-type ZnO thin films prepared by plasma molecular beam epitaxy using radical NO
Ist Teil von
Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2005-05, Vol.202 (6), p.1060-1065
Ort / Verlag
Weinheim: WILEY-VCH Verlag
Erscheinungsjahr
2005
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Beschreibungen/Notizen
N‐doped p‐type ZnO thin films were grown by plasma molecular beam epitaxy (P‐MBE) on c‐plane sapphire (Al2O3) using radical NO as oxygen source and nitrogen dopant. The reproducible ZnO thin films have maximum net hole concentration (NA – ND) of 1.2 × 1018 cm–3 and minimum resistivity of 9.36 Ω cm. The influence of N incorporation on the quality of the ZnO thin films was studied using X‐ray diffraction and absorption spectra. The photoluminescence spectra at 77 K of p‐type ZnO thin films are dominated by the emission from donor–acceptor pair recombination. The formation mechanism of p‐type ZnO is explained by the optical emission spectra of radical N2 and radical NO. (© 2005 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 1862-6300, 0031-8965
eISSN: 1862-6319, 1521-396X
DOI: 10.1002/pssa.200420012
Titel-ID: cdi_proquest_miscellaneous_29548821
Format
–
Schlagworte
61.10.Nz
,
61.72.Vv
,
78.40.Fy
,
78.55.Et
,
81.05.Dz
,
81.15.Hi
,
Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties
,
Exact sciences and technology
,
Optical properties and condensed-matter spectroscopy and other interactions of matter with particles and radiation
,
Physics
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