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An investigation into the ordering of metal atoms in CuGaS2 grown by MOVPE
Physica status solidi. A, Applied research, 2004-08, Vol.201 (10), p.2239-2244
Branch, M. S.
Berndt, P. R.
Leitch, A. W. L.
Weber, J.
Botha, J. R.
2004
Volltextzugriff (PDF)
Details
Autor(en) / Beteiligte
Branch, M. S.
Berndt, P. R.
Leitch, A. W. L.
Weber, J.
Botha, J. R.
Titel
An investigation into the ordering of metal atoms in CuGaS2 grown by MOVPE
Ist Teil von
Physica status solidi. A, Applied research, 2004-08, Vol.201 (10), p.2239-2244
Ort / Verlag
Berlin: WILEY-VCH Verlag
Erscheinungsjahr
2004
Quelle
Wiley Online Library Journals Frontfile Complete
Beschreibungen/Notizen
The ordering of metal atoms in the AI–BIII–C2VI ternary semiconductor CuGaS2 is investigated. X‐ray diffraction spectra obtained from epilayers grown by metalorganic vapour‐phase epitaxy with a varying [Cu]/[Ga] ratio resembled those expected for epilayers with the chalcopyrite structure, orientated with the c‐axis perpendicular the (001) GaAs substrate. Transmission electron diffraction patterns taken along the equivalent cubic 〈211〉 zone‐axes, however, revealed the presence of disordered zincblende material present for the bulk of the epilayer. The chalcopyrite crystal structure is likely present in the form of surface crystallites. (© 2004 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0031-8965
eISSN: 1521-396X
DOI: 10.1002/pssa.200404835
Titel-ID: cdi_proquest_miscellaneous_29434223
Format
–
Schlagworte
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68.37.Lp
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68.55.Jk
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