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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
CHARACTERIZATION OF NOVEL ELECTRODE FOR HIGH-DENSITY Pb(Zr, Ti)O3 CAPACITOR APPLICATION
Ist Teil von
  • Integrated ferroelectrics, 2006-11, Vol.81 (1), p.15-26
Ort / Verlag
Taylor & Francis Group
Erscheinungsjahr
2006
Link zum Volltext
Quelle
Taylor & Francis
Beschreibungen/Notizen
  • For high-density FRAM application, we found novel electrodes of IrTi family having a sufficiently low resistance. In addition, IrTi show good adhesion and better surface roughness than Ir. From FWHM results, PZT crystallinity is improved by applying IrTi. IrTi enhanced PZT capacitor properties of Fatigue and Retention. In 60 nm PZT, IrTi and IrTiOx/IrTi bottom electrode were effected increasing remnant polarization of 37 uC/cm 2 and 47 uC/cm 2 at 1.8 V. We successfully adopted IrTi family bottom electrode for making ultra thin PZT:40 nm PZT have good electric results such as [2Pr = 37 μ C/cm 2 , at 2 V]. Results of 40 nm PZT using IrTiOx/IrTi electrode is possibly given a challengeable clue for high-density FRAM.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 1058-4587
eISSN: 1607-8489
DOI: 10.1080/10584580600657864
Titel-ID: cdi_proquest_miscellaneous_29346483
Format
Schlagworte
FRAM, IrTi alloy, MOCVD, PZT

Weiterführende Literatur

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