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Organic light‐emitting transistors based on bilayered structures (see figure) exhibit balanced ambipolar transport and mobility values as large as 3 × 10–2 cm2 V–1 s–1. The best performances are realized by sequentially depositing α,ω‐dihexyl‐quaterthiophene (DH4T) as p‐type and N,N′‐ditridecylperylene‐3,4,9,10‐tetracarboxylic diimide (P13) as n‐type materials. Laser‐scanning confocal microscopy allows selective imaging of the layers.