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Luminescence of defects in Li-doped ZnO thin films
Physica status solidi. C, 2005-01, Vol.2 (1), p.256-259
Potůček, Z.
Bryknar, Z.
Ptáček, P.
Hubička, Z.
2005
Volltextzugriff (PDF)
Details
Autor(en) / Beteiligte
Potůček, Z.
Bryknar, Z.
Ptáček, P.
Hubička, Z.
Titel
Luminescence of defects in Li-doped ZnO thin films
Ist Teil von
Physica status solidi. C, 2005-01, Vol.2 (1), p.256-259
Ort / Verlag
Weinheim: WILEY-VCH Verlag
Erscheinungsjahr
2005
Quelle
Wiley Online Library Journals Frontfile Complete
Beschreibungen/Notizen
Photoluminescence of pure ZnO and ZnO:Li thin films prepared in the plasmachemical reactor with the hollow cathode can be observed after annealing of samples in the hydrogen atmosphere at temperatures within the range 300–600 ºC. Photoluminescence was excited by light with the photon energy higher than 3.1 eV. Considering the differences between photoluminescence emission spectra of pure and doped ZnO thin films investigated in the spectral region (260–1000 nm) at temperature 12 K, it was concluded (i) photoluminescence emission from the region 3.10‐1.77 eV is originated from the intrinsic centers of pure ZnO and (ii) the emission near 1.68 eV is associated with a transition from a state at bottom of the conduction band to a hole trapped in a localized state introduced by Li. (© 2005 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 1610-1634
eISSN: 1610-1642
DOI: 10.1002/pssc.200460159
Titel-ID: cdi_proquest_miscellaneous_28549185
Format
–
Schlagworte
71.35.Cc
,
71.55.Gs
,
78.55.Et
,
78.66.Hf
Weiterführende Literatur
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