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This work presents a comparison of the switching behaviour of 3.5 kV bipolar SiC diodes with emitters fabricated by epitaxy as well as by aluminium implantation. The turn-off behaviour of these devices will be discussed with respect to different DC link voltages at several junction temperatures, rates of current decay and snappy behaviour.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0255-5476, 1662-9752
eISSN: 1662-9752
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.433-436.895
Titel-ID: cdi_proquest_miscellaneous_28032938
Format
–
Weiterführende Literatur
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