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ZnO:Ga conducting-films grown by DC arc-discharge ionplating
Ist Teil von
Solar energy materials and solar cells, 2001-03, Vol.67 (1), p.231-236
Ort / Verlag
Amsterdam: Elsevier B.V
Erscheinungsjahr
2001
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Beschreibungen/Notizen
For the first time, DC arc-discharge ionplating was used to grow low-resistivity ZnO:Ga conducting-films at high deposition rate. Low-resistivity ZnO:Ga conducting films were grown at a rate of over 100
Å/s by using DC arc-discharge ionplating at a discharge current of 150
A. The resistivity of this film was about 2×10
−4 Ω
cm. The lowest film resistivity, 1.6×10
−4Ω
cm, was obtained on an inexpensive soda lime glass substrate at 350°C in which the Ga content was about 4at%.