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Electronics letters, 2001-05, Vol.37 (11), p.716-717
2001
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Details
- Autor(en) / Beteiligte
- Titel
- Generation of mobile hydrogenous ions in gate oxide and their potential applications
- Ist Teil von
- Electronics letters, 2001-05, Vol.37 (11), p.716-717
- Erscheinungsjahr
- 2001
- Beschreibungen/Notizen
- It has been reported that mobile hydrogenous ions can be formed in the oxide after exposure to temperatures of 1100-1300 degree C for 30min. It is investigated whether these ions can be created in a standard MOSFET fabricated by a submicron CMOS process, without using such a high thermal budget. The potential use of a MOSFET as a non-volatile memory device is explored and problems are highlighted.
- Sprache
- Englisch
- Identifikatoren
- ISSN: 0013-5194DOI: 10.1049/el:20010475Titel-ID: cdi_proquest_miscellaneous_26752343
- Format
- –