Details

Autor(en) / Beteiligte

• Völklein, F.
• Kessler, E.

Titel

A Method for the Measurement of Thermal Conductivity, Thermal Diffusivity, and Other Transport Coefficients of Thin Films

Ist Teil von

• Physica status solidi. A, Applied research, 1984-02, Vol.81 (2), p.585-596

Ort / Verlag

Berlin: WILEY-VCH Verlag

Erscheinungsjahr

1984

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Quelle

Wiley Online Library Journals Frontfile Complete

Beschreibungen/Notizen

• A steady state method is represented for the measurement of the thermal conductivity λ and the emissivity ε of thin electrically conducting films, which enables measurements of λ with good accuracy even for very small thicknesses down to a lower limit of λd ≈ 10−8 W/K in the temperature range from 80 to 400 K. Besides that, the measuring set‐up allows the determination of the electrical resistivity ρ, its temperature coefficient β, the thermoelectric power α and, resulting from this, the thermoelectric figure of merit Z. Furthermore, a transient method is described for the determination of the specific heat capacity ρMc and the thermal diffusivity a, respectively. The measurements are performed at thin bismuth films of 20 to 400 nm thickness in the temperature range mentioned above and the results are presented. Es wird eine stationäre Methode zur Messung der Wärmeleitfähigkeit λ und des Emissionsvermögens ε dünner, elektrisch leitender Schichten vorgestellt, mit der λ‐Messungen selbst für sehr geringe Schichtdicken bis zu einem unteren Grenzwert yon λd ≈ 10−8 W/K im Temperaturbereich von 80 bis 400 K mit guter Meßgenauigkeit möglich sind. Daneben gestattet der Meßaufbau die Bestimmung des spezifischen elektrischen Widerstandes ρ, seines Temperaturkoeffizienten, β, der Thermokrttft α und daraus resultierend der thermoelektrischen Effektivität Z. Darüberhinaus wird eine dynamische Methode zur Bestimmung der spezifischen Wärmekapazitat ρMc bzw. Der Temperaturleitfähigkeit a beschrieben. Es werden die Ergebnisse der Messungen an dünnen Bi‐Schichten mit Schichtdicken von 20 bis 400 nm im Temperaturbereich von 80 bis 400 K angegeben.