Sie befinden Sich nicht im Netzwerk der Universität Paderborn. Der Zugriff auf elektronische Ressourcen ist gegebenenfalls nur via VPN oder Shibboleth (DFN-AAI) möglich. mehr Informationen...
Ergebnis 3 von 148

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Gas molecule sensing of van der Waals tunnel field effect transistors
Ist Teil von
  • Nanoscale, 2017-12, Vol.9 (47), p.18644-18650
Ort / Verlag
England: Royal Society of Chemistry
Erscheinungsjahr
2017
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Beschreibungen/Notizen
  • van der Waals (vdW) heterostructures with two-dimensional (2D) crystals such as graphene, hexagonal boron nitride (hBN) and transition metal dichalcogenides (TMDCs) allow us to demonstrate atomically thin field-effect transistors (FETs), photodetectors (PDs) and photovoltaic devices capable of higher performance and greater stability levels than conventional devices. Although there have been studies of gas molecule sensing with 2D crystal channels, vdW heterostructures based on 2D crystals have not been employed thus far. Here, utilizing graphene/WS /graphene (G/WS /G) vdW heterostructure tunnel FETs, we demonstrate the rectification behavior of the sensitivity signal by tuning the WS potential barriers as a function of the gas molecule concentration and devise a fingerprint map of the sensitivity variation corresponding to an individual ratio of two different molecules in a gas mixture. Because the separation of different gas molecule concentrations from gas mixtures is in high demand in the gas-sensing research field, this result will greatly assist in the progress on selective gas sensing.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 2040-3364
eISSN: 2040-3372
DOI: 10.1039/c7nr05712a
Titel-ID: cdi_proquest_miscellaneous_1957470375

Weiterführende Literatur

Empfehlungen zum selben Thema automatisch vorgeschlagen von bX