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Nano/micro dual-textured antireflective subwavelength structures in anisotropically etched GaAs
Ist Teil von
Optics letters, 2017-08, Vol.42 (16), p.3105-3108
Ort / Verlag
United States
Erscheinungsjahr
2017
Quelle
OSA_美国光学学会数据库1
Beschreibungen/Notizen
Light trapping by surface texturing is widely used to improve the performance of optoelectronic devices. In this Letter, we demonstrate nano/micro dual-scale textured GaAs by integrating triangular GaAs by orientation-dependent wet etching and subwavelength nanoholes by metal-assisted chemical etching (MacEtch). This is the first report on nano/micro dual-scale textured GaAs. The reflectance was adjusted by controlling the aspect ratio of the nanoholes by varying the MacEtch duration. The combination of the microstructure and subwavelength structures significantly reduced the solar-weighted reflectance of a bare GaAs substrate by 72%.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0146-9592
eISSN: 1539-4794
DOI: 10.1364/ol.42.003105
Titel-ID: cdi_proquest_miscellaneous_1929886249
Format
–
Weiterführende Literatur
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