Sie befinden Sich nicht im Netzwerk der Universität Paderborn. Der Zugriff auf elektronische Ressourcen ist gegebenenfalls nur via VPN oder Shibboleth (DFN-AAI) möglich. mehr Informationen...
Ergebnis 26 von 124

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Mode-evolution-based coupler for high saturation power Ge-on-Si photodetectors
Ist Teil von
  • Optics letters, 2017-02, Vol.42 (4), p.851-854
Ort / Verlag
United States
Erscheinungsjahr
2017
Quelle
Optica Publishing Group (OPG)
Beschreibungen/Notizen
  • We propose a mode-evolution-based coupler for high saturation power germanium-on-silicon photodetectors. This coupler uniformly illuminates the intrinsic germanium region of the detector, decreasing saturation effects, such as carrier screening, observed at high input powers. We demonstrate 70% more photocurrent generation (9.1-15.5 mA) and more than 40 times higher opto-electrical bandwidth (0.7-31 GHz) than conventional butt-coupled detectors under high-power illumination. The high-power and high-speed performance of the device, combined with the compactness of the coupling method, will enable new applications for integrated silicon photonics systems.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0146-9592
eISSN: 1539-4794
DOI: 10.1364/OL.42.000851
Titel-ID: cdi_proquest_miscellaneous_1893889322

Weiterführende Literatur

Empfehlungen zum selben Thema automatisch vorgeschlagen von bX