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Antiphase boundaries as nucleation centers in low-temperature silicon epitaxial growth
Physical review. B, Condensed matter, 1993-10, Vol.48 (16), p.12361-12364
1993
Volltextzugriff (PDF)

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Antiphase boundaries as nucleation centers in low-temperature silicon epitaxial growth
Ist Teil von
  • Physical review. B, Condensed matter, 1993-10, Vol.48 (16), p.12361-12364
Ort / Verlag
Woodbury, NY: American Physical Society
Erscheinungsjahr
1993
Quelle
American Physical Society [PROLA]
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0163-1829
eISSN: 1095-3795
DOI: 10.1103/physrevb.48.12361
Titel-ID: cdi_proquest_miscellaneous_1859294815
Format
–
Schlagworte
Cross-disciplinary physics: materials science, rheology, Exact sciences and technology, Materials science, Methods of deposition of films and coatings, film growth and epitaxy, Physics, Vapor phase epitaxy, growth from vapor phase

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