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States at epitaxial NiSi2/Si heterojunctions studied by deep-level transient spectroscopy and hydrogenation
Physical review. B, Condensed matter, 1986-09, Vol.34 (6), p.4415-4418
1986
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
States at epitaxial NiSi2/Si heterojunctions studied by deep-level transient spectroscopy and hydrogenation
Ist Teil von
  • Physical review. B, Condensed matter, 1986-09, Vol.34 (6), p.4415-4418
Ort / Verlag
Woodbury, NY: American Physical Society
Erscheinungsjahr
1986
Quelle
PROLA - Physical Review Online Archive
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0163-1829
eISSN: 1095-3795
DOI: 10.1103/PhysRevB.34.4415
Titel-ID: cdi_proquest_miscellaneous_1859179002
Format
–
Schlagworte
Applied sciences, Electronics, Exact sciences and technology, Interfaces, Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices

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