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Monolayer antimonene is fabricated on PdTe2 by an epitaxial method. Monolayer antimonene is theoretically predicted to have a large bandgap for nanoelectronic devices. Air‐exposure experiments indicate amazing chemical stability, which is great for device fabrication. A method to fabricate high‐quality monolayer antimonene with several great properties for novel electronic and optoelectronic applications is provided.