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Heating red phosphorus in sealed ampoules in the presence of a Sn/SnI4 catalyst mixture has provided bulk black phosphorus at much lower pressures than those required for allotropic conversion by anvil cells. Herein we report the growth of ultra‐long 1D red phosphorus nanowires (>1 mm) selectively onto a wafer substrate from red phosphorus powder and a thin film of red phosphorus in the present of a Sn/SnI4 catalyst. Raman spectra and X‐ray diffraction characterization suggested the formation of crystalline red phosphorus nanowires. FET devices constructed with the red phosphorus nanowires displayed a typical I–V curve similar to that of black phosphorus and a similar mobility reaching 300 cm2 V−1 s with an Ion/Ioff ratio approaching 102. A significant response to infrared light was observed from the FET device.
Phosphor auf Draht: Werden gepulverter amorpher roter Phosphor und ein dünner Film aus rotem Phosphor auf einem Siliciumwafer in einer verschmolzenen Ampulle erhitzt, entsteht ein dichtes Geflecht aus mm‐langen einheitlichen Phosphornanodrähten. Feldeffekttransistoren (FETs), die dieses Material enthalten, zeigten ähnliche Eigenschaften wie ihre Pendants mit schwarzem Phosphor. Die FETs ergaben eine deutliche Antwort auf Infrarotlicht.