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Physical review letters, 2015-10, Vol.115 (16), p.166806-166806, Article 166806
2015

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
High-Fidelity Rapid Initialization and Read-Out of an Electron Spin via the Single Donor D(-) Charge State
Ist Teil von
  • Physical review letters, 2015-10, Vol.115 (16), p.166806-166806, Article 166806
Ort / Verlag
United States
Erscheinungsjahr
2015
Link zum Volltext
Quelle
PROLA
Beschreibungen/Notizen
  • We demonstrate high-fidelity electron spin read-out of a precision placed single donor in silicon via spin selective tunneling to either the D(+) or D(-) charge state of the donor. By performing read-out at the stable two electron D(0)↔D(-) charge transition we can increase the tunnel rates to a nearby single electron transistor charge sensor by nearly 2 orders of magnitude, allowing faster qubit read-out (1 ms) with minimum loss in read-out fidelity (98.4%) compared to read-out at the D(+)↔D(0) transition (99.6%). Furthermore, we show that read-out via the D(-) charge state can be used to rapidly initialize the electron spin qubit in its ground state with a fidelity of F(I)=99.8%.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0031-9007
eISSN: 1079-7114
DOI: 10.1103/PhysRevLett.115.166806
Titel-ID: cdi_proquest_miscellaneous_1732596431
Format

Weiterführende Literatur

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