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Carrier relaxation dynamics in a Ga(AsBi) single quantum well under high-intensity excitation conditions
Physica status solidi. C, 2013-09, Vol.10 (9), p.1234-1237
Shakfa, Mohammad Khaled
Chernikov, Alexey
Kalincev, Dimitri
Chatterjee, Sangam
Lu, Xianfeng
Johnson, Shane R.
Beaton, Dan A.
Tiedje, Thomas
Koch, Martin
2013
Details
Autor(en) / Beteiligte
Shakfa, Mohammad Khaled
Chernikov, Alexey
Kalincev, Dimitri
Chatterjee, Sangam
Lu, Xianfeng
Johnson, Shane R.
Beaton, Dan A.
Tiedje, Thomas
Koch, Martin
Titel
Carrier relaxation dynamics in a Ga(AsBi) single quantum well under high-intensity excitation conditions
Ist Teil von
Physica status solidi. C, 2013-09, Vol.10 (9), p.1234-1237
Ort / Verlag
Berlin: WILEY-VCH Verlag
Erscheinungsjahr
2013
Link zum Volltext
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Beschreibungen/Notizen
The carrier dynamics of a Ga(AsBi)/GaAs single quantum well (SQW) with a Bi content of 5.5% are studied by means of time‐resolved photoluminescence (PL). Random fluctuation of the alloy compositions and the presence of Bi clusters in the QW material, lead to localized states and have a significant influence on the mechanism of the PL emission. Under low excitation conditions, the PL emission is dominated by the recombination of localized electron‐hole pairs. The PL spectra exhibit a considerable blue‐shift with increased excitation intensity due to the filling of localized states. At high excitation intensities, additional PL signatures at the high energy side of the main emission peak evolve, corresponding to higher confined states of the quantum well. Also, the role of the carrier hopping between localized states becomes smaller. In addition, a shortening of the PL decay time is observed at increased lattice temperatures due to the delocalization of carriers, leading to faster non‐radiative recombination. The latter is accompanied by the quenching of the PL intensity. (© 2013 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 1862-6351
eISSN: 1610-1642
DOI: 10.1002/pssc.201200738
Titel-ID: cdi_proquest_miscellaneous_1448714108
Format
–
Schlagworte
carrier dynamics
,
Carriers
,
dilute bismide semiconductors
,
Dynamics
,
Emission
,
Excitation
,
Gallium arsenide
,
Gallium arsenides
,
Quantum wells
,
Reproduction
,
time-resolved photoluminescence
Weiterführende Literatur
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