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Advanced materials (Weinheim), 2013-10, Vol.25 (39), p.5593-5598
2013
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Details
- Autor(en) / Beteiligte
- Titel
- Tunable electroluminescence in planar graphene/SiO(2) memristors
- Ist Teil von
- Advanced materials (Weinheim), 2013-10, Vol.25 (39), p.5593-5598
- Ort / Verlag
- Germany
- Erscheinungsjahr
- 2013
- Quelle
- Wiley Online Library Journals Frontfile Complete
- Beschreibungen/Notizen
- Electroluminescence and resistive switching are first realized simultaneously in graphene/SiO2 memristor devices. The electroluminescence peaks can be tuned between 550 nm and 770 nm reliably via setting the device to different resistance states by applying different voltages. The combination of resistive switching and electroluminescence may bring new functionalities for these memristor devices which are fully compatible with silicon-based electronics.
- Sprache
- Englisch
- Identifikatoren
- eISSN: 1521-4095DOI: 10.1002/adma.201302447Titel-ID: cdi_proquest_miscellaneous_1443996815
- Format
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