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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
40 Gbit/s low-loss silicon optical modulator based on a pipin diode
Ist Teil von
  • Optics express, 2012-05, Vol.20 (10), p.10591-10596
Ort / Verlag
United States
Erscheinungsjahr
2012
Link zum Volltext
Quelle
MEDLINE
Beschreibungen/Notizen
  • 40 Gbit/s low-loss silicon optical modulators are demonstrated. The devices are based on the carrier depletion effect in a pipin diode to generate a good compromise between high efficiency, speed and low optical loss. The diode is embedded in a Mach-Zehnder interferometer, and a self-aligned fabrication process was used to obtain precise localization of the active p-doped region in the middle of the waveguide. Using a 4.7 mm (resp. 0.95 mm) long phase shifter, the modulator exhibits an extinction ratio of 6.6 dB (resp. 3.2 dB), simultaneously with an optical loss of 6 dB (resp. 4.5 dB) at the same operating point.

Weiterführende Literatur

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