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IEEE electron device letters, 2012-02, Vol.33 (2), p.266-268
2012

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Dielectric Modulated Tunnel Field-Effect Transistor-A Biomolecule Sensor
Ist Teil von
  • IEEE electron device letters, 2012-02, Vol.33 (2), p.266-268
Ort / Verlag
New York, NY: IEEE
Erscheinungsjahr
2012
Link zum Volltext
Quelle
IEEE Electronic Library (IEL)
Beschreibungen/Notizen
  • In this letter, we propose a dielectric modulated double-gate tunnel field-effect transistor (DG-TFET)-based sensor for low power consumption label-free biomolecule detection applications. A nanogap-embedded FET-based biosensor has already been demonstrated experimentally, but a TFET-based biosensor has not been demonstrated earlier. Thus, a concept of TFET-based sensor is presented by analytical and simulation-based study. The results indicate better sensitivity toward two different effects (dielectric constant and charge of biomolecule) in comparison with a FET-based biosensor, and the additional advantages of CMOS compatibility, low leakage (low static power dissipation), and steep subthreshold slope make TFET an attractive alternative architecture for CMOS-based sensor applications.

Weiterführende Literatur

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