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Journal of materials science. Materials in electronics, 2009, Vol.20 (Suppl 1), p.139-143
2009
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Excitation diffusion due to photon trapping in GeGaSe glasses heavily doped with Er3
Ist Teil von
  • Journal of materials science. Materials in electronics, 2009, Vol.20 (Suppl 1), p.139-143
Ort / Verlag
Boston: Springer US
Erscheinungsjahr
2009
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Beschreibungen/Notizen
  • The photoluminescence (PL) in erbium doped GeGaSe glasses with stoichiometric composition Ge 28 Ga 6.2 Se 64.5 S 0.8 :Er 0.5 has been investigated in bulk samples and coarse and fine powders with varying average particle size 〈 L 〉. The shape of PL spectra and PL decay time are found to depend strongly on 〈 L 〉 at large 〈 L 〉 ≥ 500 μm. In fine powders with 〈 L 〉 ≤ 200 μm the PL decay time does not depend on 〈 L 〉 and is very close to the theoretical calculation of the lifetime using the Judd–Ofelt theory. In addition, the PL spectra do not depend on 〈 L 〉 ≤ 200 μm, and the shape of spectra closely follows the predictions of McCumber theory. The 〈 L 〉-independent decay time values and PL spectra are observed only in fine powders with 〈 L 〉 ≤ 200 μm.

Weiterführende Literatur

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