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Journal of computational electronics, 2003-12, Vol.2 (2-4), p.173-176
2003
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Gauge-Invariant Formulation of Fermi's Golden Rule and Its Application to High-Field Transport in Semiconductors
Ist Teil von
  • Journal of computational electronics, 2003-12, Vol.2 (2-4), p.173-176
Ort / Verlag
Dordrecht: Springer Nature B.V
Erscheinungsjahr
2003
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Beschreibungen/Notizen
  • A gauge-invariant formulation of Fermi's Golden rule is proposed. We shall revisit the conventional description of carrier-phonon scattering in the presence of high electric fields by means of a gauge-invariant density-matrix approach. We show that the so called intracollisional field effect, as usually accounted for, has been always overestimated due to the neglect of the time variation of the basis states, which in turn leads to a ill-defined Markov limit in the carrier-phonon interaction process. This is confirmed by our fully three-dimensional simulations of charge transport in state-of-the-art semiconductor superlattices.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 1569-8025
eISSN: 1572-8137
DOI: 10.1023/B:JCEL.0000011420.01771.18
Titel-ID: cdi_proquest_journals_2918266511

Weiterführende Literatur

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