IOP conference series. Materials Science and Engineering, 2016-04, Vol.122 (1), p.12028-12031
2016
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Details
- Autor(en) / Beteiligte
- Titel
- Plasma chemical silicon etching process
- Ist Teil von
- IOP conference series. Materials Science and Engineering, 2016-04, Vol.122 (1), p.12028-12031
- Ort / Verlag
- Bristol: IOP Publishing
- Erscheinungsjahr
- 2016
- Quelle
- EZB Electronic Journals Library
- Beschreibungen/Notizen
- The cryogenic plasma chemical silicon etching process is developed, able to form the structured silicon layer with system of deep holes with high aspect ratio.
- Sprache
- Englisch
- Identifikatoren
- ISSN: 1757-8981eISSN: 1757-899XDOI: 10.1088/1757-899X/122/1/012028Titel-ID: cdi_proquest_journals_2564835620
- Format
- –
- Schlagworte
- betavoltaic element, cryo process, Cryoforming, Etching, High aspect ratio, Materials science, p-i-n diode, scalloping, Silicon