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Enhancing the energy barrier and hysteresis temperature in two benchtop-stable Ho() single-ion magnets
Ist Teil von
Chemical communications (Cambridge, England), 2021-04, Vol.57 (29), p.367-361
Ort / Verlag
England: Royal Society of Chemistry
Erscheinungsjahr
2021
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Beschreibungen/Notizen
The energy barrier and hysteresis temperature in two benchtop-stable
D
5h
-symmetry Ho
III
single-ion magnets were significantly enhanced
via
the variation of the halogen anion. The coexistence of a high energy barrier of 418 K and hysteresis temperature of 15 K was observed in the bromide-ion containing Ho
III
single-ion magnet.
The effective energy barrier and hysteresis temperature in two benchtop-stable
D
5h
-symmetry Ho
III
single-ion magnets were significantly enhanced
via
an anion-controlled crystal engineering approach, giving a best performing Ho
III
single-ion magnet.