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V-Band GaAs Metamorphic Low-Noise Amplifier Design Technique for Sharp Gain Roll-Off at Lower Frequencies
Ist Teil von
IEEE microwave and wireless components letters, 2020-06, Vol.30 (6), p.601-604
Ort / Verlag
New York: IEEE
Erscheinungsjahr
2020
Quelle
IEEE Xplore
Beschreibungen/Notizen
In this letter, we present the design of a V- band low-noise amplifier for intersatellite crosslink receivers. The test vehicle, realized on industrial metamorphic gallium arsenide technology, operates from 57 to 66 GHz exhibiting 23-dB gain and an average 1.8-dB noise figure. Particular attention was devoted to the analysis and synthesis of an alternative bias injection topology to obtain a sharp gain roll-off at lower frequencies, thus avoiding the insertion, at system level, of an image-reject filter.