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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
CMOS-Compatible Optical Phased Array Powered by a Monolithically-Integrated Erbium Laser
Ist Teil von
  • Journal of lightwave technology, 2019-12, Vol.37 (24), p.5982-5987
Ort / Verlag
New York: IEEE
Erscheinungsjahr
2019
Link zum Volltext
Quelle
IEEE Electronic Library (IEL)
Beschreibungen/Notizen
  • An advanced CMOS-compatible 300-mm-wafer silicon-photonics platform is introduced that consists of a silicon layer with eight doping masks, two silicon-nitride layers, three metal and via layers, a dicing trench for smooth edge-coupled facets, and a gain-film trench that enables interaction between the gain material and waveguide layers. The platform was used to demonstrate an electrically-steerable integrated optical phased array powered by an on-chip erbium-doped laser. Lasing with a single-mode output, 30 dB side-mode-suppression ratio, and 40 mW lasing threshold was shown, and one-dimensional beam steering with a 0.85° × 0.20° full-width at half-maximum and 30°/W electrical steering efficiency was demonstrated. This system represents the first demonstration of a rare-earth-doped laser monolithically-integrated with an active CMOS-compatible silicon-on-insulator photonics system.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0733-8724
eISSN: 1558-2213
DOI: 10.1109/JLT.2019.2944607
Titel-ID: cdi_proquest_journals_2325186778

Weiterführende Literatur

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