Sie befinden Sich nicht im Netzwerk der Universität Paderborn. Der Zugriff auf elektronische Ressourcen ist gegebenenfalls nur via VPN oder Shibboleth (DFN-AAI) möglich. mehr Informationen...
Es ist ein Fehler in der Kommunikation mit einem externen System aufgetreten. Bitte versuchen Sie Ihre letzte Aktion erneut. Sollte der Fehler bestehen bleiben, setzen Sie sich bitte mit dem Informationszentrum der Bibliothek in Verbindung oder versuchen Sie es später erneut.
In recent years, ultraviolet (UV) photodetectors based on nanomaterials of wide-bandgap semiconductors have emerged as a hot topic for miniaturizing these devices and saving energy. Herein, for the first time, we report a micro p-n nanowire-heterojunction constructed from a NiO-coated Ni core-shell nanowire combined with a ZnO layer (NiO@ZnO) and a UV photodetector based on this micro p-n nanowire-heterojunction. The micro NiO@ZnO-nanowire-heterojunction shows good rectification effects with a rectification ratio of 6000 at a ± 2 V applied bias and a turn-on voltage of 0.5 V. The UV photodetector exhibits excellent performances of self-powered UV photodetection with a peak photoresponsivity of 17 mA/W under zero bias at the wavelength of 312 nm. The cutoff wavelength is located at 362 nm, and a dark current is ∼0.25 pA. Our findings provide an alternative approach to miniaturize UV detectors for daily carrying based on nanowire-heterojunction materials.