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In article number 1805533, David Muñoz‐Rojas, Kevin P. Musselman, and co‐workers fabricate a quantum‐tunneling metal‐insulator‐metal (MIM) diode using a rapid atmospheric pressure chemical vapor deposition technique, demonstrating that clean room fabrication is not a prerequisite for quantumenabled devices. Uniform Al2O3 films 6 nm thick are coated in 15 seconds in open‐air, resulting in MIM diodes with better performance than similar diodes made by plasma‐enhanced atomic layer deposition.