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Low Noise Global Shutter Image Sensor Working in the Charge Domain
IEEE electron device letters, 2019-02, Vol.40 (2), p.310-313
2019

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Low Noise Global Shutter Image Sensor Working in the Charge Domain
Ist Teil von
  • IEEE electron device letters, 2019-02, Vol.40 (2), p.310-313
Ort / Verlag
New York: IEEE
Erscheinungsjahr
2019
Link zum Volltext
Quelle
IEEE/IET Electronic Library (IEL)
Beschreibungen/Notizen
  • In this letter, we present global shutter (GS) pixel using active deep trench isolation gate to transfer and store photodiode charge signal into a fully depleted pinned MOS capacitance. This architecture is compatible with conventional correlated double sampling. GS readout noise lower than 2e- is demonstrated. The fully depleted pinned capacitance is able to store 12ke- with dark current lower than 25e-/s at 60 °C. The GS efficiency, better than 99.96% at 550nm, is reported.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0741-3106
eISSN: 1558-0563
DOI: 10.1109/LED.2018.2888755
Titel-ID: cdi_proquest_journals_2175664527
Format
–
Schlagworte
Capacitance, Charge transfer, CMOS image sensors, Dark current, deep trench capacitor, Depletion, global shutter, Image sensor, Logic gates, Low noise, Micromechanical devices, Photodiodes, pinned photodiode

Weiterführende Literatur

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