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Technical physics, 2016-12, Vol.61 (12), p.1876-1879
2016
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Two-photon confocal microscopy in the study of the volume characteristics of semiconductors
Ist Teil von
  • Technical physics, 2016-12, Vol.61 (12), p.1876-1879
Ort / Verlag
Moscow: Pleiades Publishing
Erscheinungsjahr
2016
Quelle
SpringerLink
Beschreibungen/Notizen
  • Zn–Se crystals are used to analyze prospects for application of two-photon confocal microscopy in the study of plane and volume interband and impurity luminescence in semiconductors. Such maps can be formed with a depth step and planar spatial resolution of several micrometers at distances of up to 1 mm from the surface. The method is used to detect luminescence-active inhomogeneities in crystals and study their structure and luminescence characteristics. Prospects for the application of the two-photon confocal microscopy in the study of direct-band-semiconductors and materials of the fourth group are discussed.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 1063-7842
eISSN: 1090-6525
DOI: 10.1134/S1063784216120203
Titel-ID: cdi_proquest_journals_1880818835

Weiterführende Literatur

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