Sie befinden Sich nicht im Netzwerk der Universität Paderborn. Der Zugriff auf elektronische Ressourcen ist gegebenenfalls nur via VPN oder Shibboleth (DFN-AAI) möglich.
mehr Informationen...
Molecular Beam Epitaxy, 2012
2012
Details
- Autor(en) / Beteiligte
- Titel
- Bismuth-containing III–V semiconductors: Epitaxial growth and physical properties
- Ist Teil von
- Molecular Beam Epitaxy, 2012
- Ort / Verlag
- United States: Elsevier Science & Technology
- Erscheinungsjahr
- 2012
- Link zum Volltext
- Quelle
- ScienceDirect eBooks
- Sprache
- Englisch
- Identifikatoren
- ISBN: 012387839X, 9780123878397DOI: 10.1016/B978-0-12-387839-7.00007-5Titel-ID: cdi_proquest_ebookcentralchapters_1058148_61_152