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Reactive ion etching induced damage in GaAs and Al0.3Ga0.7As using SiCl4
Semiconductor science and technology, 1992-09, Vol.7 (9), p.1189-1198
1992
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Reactive ion etching induced damage in GaAs and Al0.3Ga0.7As using SiCl4
Ist Teil von
  • Semiconductor science and technology, 1992-09, Vol.7 (9), p.1189-1198
Ort / Verlag
Bristol: IOP Publishing
Erscheinungsjahr
1992
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0268-1242
eISSN: 1361-6641
DOI: 10.1088/0268-1242/7/9/008
Titel-ID: cdi_pascalfrancis_primary_5526535
Format
–
Schlagworte
Applied sciences, Diodes, Electronics, Exact sciences and technology, Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices

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