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RBS and TEM Investigations of Nucleation of Bi0.5Sb1.5Te3 Films
Ist Teil von
Physica status solidi. A, Applied research, 1991-04, Vol.124 (2), p.491-498
Ort / Verlag
Berlin: WILEY-VCH Verlag
Erscheinungsjahr
1991
Link zum Volltext
Quelle
Wiley Online Library Journals Frontfile Complete
Beschreibungen/Notizen
The nucleation of Bi0.5Sb1.5Te3 on SiO2 surfaces is investigated by Rutherford‐backscattering (RBS) and transmission electron microscopy (TEM) in dependence on the substrate temperature Ts. Conditions for a stoichiometric condensation of flash‐evaporated material can be established.
Mittels Rutherford‐Rückstreuung (RBS) und Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) wird in Abhängigkeit von der Substrattemperatur Ts die Keimbildung von Bi0.5Sb1.5Te3 auf SiO2‐Oberflächen untersucht. Es lassen sich Bedingungen für stöchiometrische Kondensation des mit der Flashmethode aufgebrachten Materials angeben.