Details

Autor(en) / Beteiligte

• Micocci, G.
• Tepore, A.
• Rella, R.
• Siciliano, P.

Titel

Electrical Characterization of In2Se3 Single Crystals

Ist Teil von

• Physica status solidi. A, Applied research, 1991-08, Vol.126 (2), p.437-442

Ort / Verlag

Berlin: WILEY-VCH Verlag

Erscheinungsjahr

1991

Quelle

Wiley Online Library

Beschreibungen/Notizen

• Resistivity and Hail effect measurements are performed in the temperature range between 10 and 400 K on In2Se3 crystals grown by the Bridgman‐Stockbarger method. The temperature dependence of the electron mobility can be explained by combining the lattice and the neutral impurity scatterings. Moreover, the electrical properties are dominated by donor centers with ionization energy between 60 and 90 meV. The conduction band density of states effective mass was estimated to be 0.24m0. Widerstands‐ und Halleffekt‐Messungen werden im Temperaturbereich von 10 bis 400 K an In2Se3‐Kristallen durehgeführt, die nach der Bridgman‐Stockbarger‐Methode gezüchtet werden. Die Tempera‐turabhängigkeit der Elektronenbeweglichkeit kann durch die Kombination von Gitterstreuung und Streuung an neutralen Störstellen erklärt werden. Darüberhinaus werden die elektrischen Eigcnschaften durch Donatorzentren mit lonisierungsenergien zwischen 60 und 90meV dominiert. Die effektive Zustandsdichtemasse des Leitungsbandes wird zu 0,24m0 berechnet.