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Effects of temperature and defects on breakdown lifetime of thin SiO2 at very low voltages
IEEE transactions on electron devices, 1994-07, Vol.41 (7), p.1227-1232
1994

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Effects of temperature and defects on breakdown lifetime of thin SiO2 at very low voltages
Ist Teil von
  • IEEE transactions on electron devices, 1994-07, Vol.41 (7), p.1227-1232
Ort / Verlag
New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers
Erscheinungsjahr
1994
Link zum Volltext
Quelle
IEEE Xplore Digital Library
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0018-9383
eISSN: 1557-9646
DOI: 10.1109/16.293352
Titel-ID: cdi_pascalfrancis_primary_4137688
Format
–
Schlagworte
Applied sciences, Electronics, Exact sciences and technology, Interfaces, Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices

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