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Analysis of high-rate a-Si:H deposition in a VHF plasma
Journal of physics. D, Applied physics, 1993-10, Vol.26 (10), p.1781-1786
1993

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Analysis of high-rate a-Si:H deposition in a VHF plasma
Ist Teil von
  • Journal of physics. D, Applied physics, 1993-10, Vol.26 (10), p.1781-1786
Ort / Verlag
Bristol: IOP Publishing
Erscheinungsjahr
1993
Link zum Volltext
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0022-3727
eISSN: 1361-6463
DOI: 10.1088/0022-3727/26/10/036
Titel-ID: cdi_pascalfrancis_primary_3859795
Format
–
Schlagworte
Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties, Cross-disciplinary physics: materials science, rheology, Exact sciences and technology, Ion and electron beam-assisted deposition, ion plating, Materials science, Methods of deposition of films and coatings, film growth and epitaxy, Physics, Surfaces and interfaces, thin films and whiskers (structure and nonelectronic properties), Thin film structure and morphology

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