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SiGe p-n-p HBTs With 265-GHz fmax, 175-GHz fT, and 3.65-ps Gate Delay
IEEE electron device letters, 2014, Vol.35 (8), p.814-816
2014
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
SiGe p-n-p HBTs With 265-GHz fmax, 175-GHz fT, and 3.65-ps Gate Delay
Ist Teil von
  • IEEE electron device letters, 2014, Vol.35 (8), p.814-816
Ort / Verlag
New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers
Erscheinungsjahr
2014
Quelle
IEEE Xplore Digital Library
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0741-3106
eISSN: 1558-0563
DOI: 10.1109/LED.2014.2330659
Titel-ID: cdi_pascalfrancis_primary_28721720
Format
–
Schlagworte
Applied sciences, Circuit properties, Compound structure devices, Electric, optical and optoelectronic circuits, Electronic circuits, Electronics, Exact sciences and technology, Oscillators, resonators, synthetizers, Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices, Transistors

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