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GaAs Enhancement-Mode NMOSFETs Enabled by Atomic Layer Epitaxial La1.8Y0.2O3 as Dielectric
IEEE electron device letters, 2013-04, Vol.34 (4), p.487-489
2013
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
GaAs Enhancement-Mode NMOSFETs Enabled by Atomic Layer Epitaxial La1.8Y0.2O3 as Dielectric
Ist Teil von
  • IEEE electron device letters, 2013-04, Vol.34 (4), p.487-489
Ort / Verlag
New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers
Erscheinungsjahr
2013
Quelle
IEEE Electronic Library (IEL)
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0741-3106
eISSN: 1558-0563
DOI: 10.1109/LED.2013.2244058
Titel-ID: cdi_pascalfrancis_primary_27211550
Format
–
Schlagworte
Applied sciences, Electronics, Exact sciences and technology, Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices, Transistors

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