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Quaternary Barrier InAlGaN HEMTs With fT/fmax of 230/300 GHz
IEEE electron device letters, 2013, Vol.34 (3), p.378-380
2013

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Quaternary Barrier InAlGaN HEMTs With fT/fmax of 230/300 GHz
Ist Teil von
  • IEEE electron device letters, 2013, Vol.34 (3), p.378-380
Ort / Verlag
New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers
Erscheinungsjahr
2013
Link zum Volltext
Quelle
IEEE/IET Electronic Library (IEL)
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0741-3106
eISSN: 1558-0563
Titel-ID: cdi_pascalfrancis_primary_27130139
Format
–
Schlagworte
Applied sciences, Electronics, Exact sciences and technology, Interfaces, Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices, Transistors

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